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更新時(shí)間：2023-08-18
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測(cè)器特點(diǎn)：室溫下工作；D*（10.6 µm）達(dá)到3*108cmHz1/2/W；響應(yīng)時(shí)間≤1ns；動(dòng)態(tài)范圍寬；與快速邏輯元器件*兼容；使用方便；低成本；及時(shí)交貨；可根據(jù)客戶(hù)要求設(shè)計(jì)。
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測(cè)器介紹
PCI-n（n表示特性波長(zhǎng)，單位是微米）系列的光電探測(cè)器是非制冷紅外光電探測(cè)器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過(guò)半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置在2～12µm范圍內(nèi)的任意值可以達(dá)到好的性能。他們的高性能和穩(wěn)定性通過(guò)新開(kāi)發(fā)的變隙（HgCdZnTe）半導(dǎo)體優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來(lái)獲得?？梢园纯蛻?hù)所定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤(rùn)鏡頭、視窗和光濾波器。
光入浸式光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測(cè)器參數(shù)
特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PCI-4 | LD-PCI-5 | LD-PCI-6 | LD-PCI-9 | LD-PCI-10.6 |
特性波長(zhǎng)λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 |
探測(cè)率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W |
>1E10 >6E9 |
>6E9 >4E9 |
>2.5E9 >1E9 |
>5E8 >1E8 |
>1E8 >5E7 |
響應(yīng)度-@λop | Vmm/W | >600 | >300 | >60 | >3 | >1 |
響應(yīng)時(shí)間τ | ns | <1000 | <500 | <200 | <2 | <1 |
1/f噪聲拐點(diǎn)頻率 | kHz | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 |
有效面積(長(zhǎng)×寬) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 | ||||
偏置電流-寬度比 | mA /mm | 1－2 | 2－4 | 3－10 | 3－15 | 5－20 |
薄層電阻系數(shù) | Ω/sqr | 300-1000 | 200-400 | 100-300 | 50-150 | 40-120 |
視場(chǎng), F# | deg | 36,1.62 | ||||
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