更新時(shí)間：2023-08-17
激光測(cè)距InGaAs APD探測(cè)器包含脈沖探測(cè)器及處理電路。與PIN光電二極管相比，此款探測(cè)器對(duì)激光脈沖能量的要求降低了20倍，與其他普通APD產(chǎn)品相比，此款探測(cè)器對(duì)激光脈沖能量的要求降低5倍。
1）特點(diǎn)
①高增益低噪聲InGaAs APD探測(cè)器
②響應(yīng)波段950~1700nm
③噪聲等效功率< 0.2 nW （1534-nm; 20-ns pulse）
④動(dòng)態(tài)范圍：70dB
激光測(cè)距InGaAs APD探測(cè)器
1）特點(diǎn)
①高增益低噪聲InGaAs APD探測(cè)器
②響應(yīng)波段950~1700nm
③噪聲等效功率< 0.2 nW (1534-nm; 20-ns pulse)
④動(dòng)態(tài)范圍：70dB
⑤可編程閾值（Time-variable Threshold/TVT）
⑥平均*時(shí)間85000小時(shí)
⑦抗震：可以用于其他極限環(huán)境。
2）參數(shù)表
Model (APD) | RUC1-JIAC | RUC1-NIAC | RUC1-KIAC |
Spectral response | 950 nm – 1700 nm | ||
Optical collection-area diameter | 75μm | 200μm | 250μm |
APD diameter | 75μm | 200μm | 75μm |
Noise equivalent input (NEI) | 40 photons | 45 photons | 40 photons |
Photon equivalent sensitivity | 245photons | 290 photons | 245 photons |
Noise equivalent power | 0.20 nW | 0.45 nW | 0.20 nW |
Range precision | 50 mm | 60 mm | 50 mm |
Target pair resolution | 5 meters | 5 meters | 5 meters |
Bandwidth | 31 MHz | 17 MHz | 31 MHz |
APD gain (M) | 1 – 20 | 1 – 20 | 1 – 20 |
APD responsivity (M = 1) | 1.1 A/W | 1.1 A/W | 1.1 A/W |
APD excess noise (M = 10) | 3.5 | 3.5 | 3.5 |
Maximum instantaneous optical power | 6 MW/cm2 | ||
Environmental | |||
Operating temperature | -50 °C to +85 °C | ||
激光測(cè)距InGaAs APD探測(cè)器可選項(xiàng)
①光纖尾纖可選，尾纖直徑可選（62.5µm/125µm/200µm）
②探測(cè)器控制電路可選
③評(píng)估板電路可選
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